容量密度提升且更省電，Samsung 公第二代 3D V-NAND 細節資料公佈

透過精簡化寫入的過程節約達 40% 的電力。 目前 Samsung 在 3D V-NAND 技術進入第二世代，也就是 32 層堆疊、TLC 結構的 128Gb 配置，最新銳的 850 EVO 也是使用了此款 NAND Flash。 Samsung 日前在 ISSCC 2015 研討會中，發表了第二世代 3D V-NAND 的部分細節，針對了優化的部分進行了一些解釋。 從最直觀的的比較下，可以看到第一代與第二代的差別在於面積與容量密度的差別。第一世代為 MLC 設計，堆疊層數為 24 層，128Gbit 容量所占的面積約為 133mm2，計算之下容量密度約為 0.93Gb/mm2；來到了第二世代，使用了 TLC 設計，在堆疊的層數也提升到了 32 層，因此大幅的提升容量密度，128Gb 所占面積為 68.9mm2，容量密度為 1.86Gb/mm2，提升幅度相當驚人。 另在寫入（programing）部分，傳統平面式 NAND FLASH 在達到一定程度的密度以後，每個單元蓄積的電荷量會下降，另外相鄰的記憶體間也會產生電荷干涉，為了避免這些負面影響，TLC 的寫入都會被拆分成二到三個階段，以進行比較精確的控制。 不過 3D V-NAND 卻沒有傳統 Plannar 會遇到的問題，因此傳統的多階段控制就不需施行， Samsung 透過了 [...]

繼續閱讀: 容量密度提升且更省電，Samsung 公第二代 3D V-NAND 細節資料公佈





More...

via Singapore Cosplay Forum by SGCafe - VR-Zone http://ift.tt/1NmhDCG