HGST 研究團隊於2015快閃記憶體高峰會上展示具有突破性的常駐記憶技術

Western Digital 旗下公司 HGST 去年展出創記錄每秒 300 萬 I/O 的相變化記憶體(PCM)[3]，今年將繼續應用此技術並與 Mellanox Technologies 合作，展示創新性的記憶體內運算叢集架構。該架構將搭載 PCM 技術、具備 RDMA 功能，效能接近 DRAM，但總體擁有成本更低[4]且擴充能力更佳。 記憶體內運算是現今資料中心的熱門趨勢，Gartner預估在 2018 年底，該市場的軟體營收將會超過 90 億美元[5]。記憶體內運算與舊有架構相比擁有更快的運算效能、更佳的擴充能力，能夠即時深入分析資料，創造更高商業價值。 就現代資料中心應用而言，採用DRAM 儲存資料有容易漏失的風險導致成本增加，而擴增主要記憶體才能避免該風險，並帶來更大的俾益。此外，由於DRAM 儲存資料的電容會漏電，每一秒都需重寫入多次才能避免資料遺失。光是重新寫入的耗電量，就高達伺服器總耗電量的 20% 至 30 %[6]。新的非揮發性記憶體技術 (例如 PCM) 則沒有重新寫入的電力需求，因此擴充主要記憶體的效能會比 DRAM 更好。 HGST 創新性的常駐記憶技術實現可靠、可擴充、低功耗的記憶體，效能接近 DRAM，但不需修改 BIOS 或重覆寫入應用。遠端 PCM 在網路 (如乙太網路或 InfiniBand) 採用的遠端直接記憶存取 (RDMA) 技術進行擴充，將可以迅速部署大規模的記憶體內運算。這個以網路為基礎方法可讓應用程式利用多台電腦上的非揮發性 PCM 進行必要的擴充。 在 HGST Mellanox 的展示中，512 B 讀取的隨機存取延時不到 2 [...]
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