新世代的 NVRAM 開發逐漸進入火熱階段。 繼 Crossbar 在先前 IEDM 2014（IEEE International Electron Devices Meeting）發表了他們在電阻式記憶體（Resistive RAM, RRAM、ReRAM）的最新成果之後，Sony 也與合作夥伴 Micron 發表了自 2011 年首度公開 RRAM 試作品後的最新試作品結果。 在 RRAM 的合作關係中，Sony 與 Micron 各自扮演了重要角色；Sony 持有 RRAM 的技術，Micron 則是目前記憶體製造業的大廠。在今年的 ISSCC 2014 研討會中，先是公佈 16Gbit RRAM 的電路技術，緊接著在數日前的 IDEM 2014 中，發表裝置本體的製作。在此之前兩家廠商在次世代記憶體的發展是各有歧異的，Sony 在 2011 ISSCC 中發表了 4Mb 的 RRAM 試作品，而 Micron 則是鑽研相變式記憶體（PCM、PRAM）並且將 128Mb PRAM 商業化，但自此之後就無提升容量的後續動作。 這次 Sony [...]
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