SK Hynix 稍早發佈新聞稿指出，20nm 的 6Gb（Gigabit）LPDDR3 顆粒已經研發成功。 這產品主要鎖定高效能表現的行動顆粒解決方案，主要是其高密度的特性以及低功耗表現，相當適合被用於下一代的高階行動通訊裝置。 與 Samsung GALAXY Note 3 採用的方案不太相同，如果 SK Hynix 想要組成 3GB 記憶體大小，只要搭配 4 顆 6Gb LPDDR3，而 Samsung Electronics 在同一封裝內則需要使用到 6 顆。也因為因此，這個封裝將減少耗電以及降低 30% 的待機電流，同時也有效的降低封裝的高度。另一方面，這款產品的工作電壓為 1.2V。 記憶體時脈部分為 1866Mbps，32-bit I/O 以及可以到達單通道 7.4GB 以及雙通道 14.8GB 的表現。 SK Hynix 的 OEM 客戶已經陸續收到樣品，預計該公司將會在 2014 年開始進入量產。
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