使用 eMMC V5.0 介面，與更強的隨機讀寫性能，將瞄準高性能行動裝置市場。 智慧型手機等行動裝置發展至今，我們不斷看到 CPU、GPU 等核心性能的提升，但在存儲裝置的性能上向來是比較弱勢的一環；目前大部分的 eMMC 顆粒的連續讀寫性能或許還說得過去，但是隨機性能頂多數百個 IOPS，相當不理想。 在 MWC 2014 中，SanDisk 宣布推出了新一代的 iNAND Extreme eMMC 存儲方案，似乎可以有效的提升 I/O 性能的不足。 2014 年式 的 iNAND Extreme 將控制器與 NAND Flash 整合在同一包裝內，使用了 eMMC 5.0 400MB/S 介面與手機連接；在控制器的部分，引入了在 SSD 常有的 multi-core 設計，兩顆內部核心各自進行與 host 的溝通與 NAND Flash 管理不同的工作。在 NAND FLASH 與控制器連接的部分，則是使用了兩條 300MB/s 的通道進行連接，可達到 600MB/s 的性能；讓內外的速度不相同的設計意圖則是能讓行動裝置的使用者，不至於在控制器進行 GC、或是擦寫等等處理時感到有延遲感。 在軟體邏輯的部分，常見的 Block-based Mapping 改到隨機性能較好的 [...]
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