同樣以目前 Samsung 主流的 20nm 製程製作，可提供 4GB 封裝產品。 在順利量產桌上型產品專用的 8Gb DDR4 記憶體之後，Samsung 目前宣布將著手量產行動裝置用的低功耗 LPDDR4 記憶體，替未來發展預先做好準備。 距離宣布完成 8Gb LPDDR4 技術開發剛好接近一年之後，Samsung 正式宣布量產的消息將能提供比現存的 20nm LPDDR3 6Gb 記憶體提供更高的容量密度、性能與更優的能耗表現。 性能部分可達到 3200Mbps I/O 性能，為目前 PC DDR3 記憶體的 2 倍，大量的吞吐性能使得未來的行動裝置能流暢的錄放 4K UHD 影像，或是以 20MP 的高解析度進行連續攝影；工作電壓降低到 1.1V 使得功耗可以比 LPDDR3 節約達 40% 的電力。 Samsung 已經具有 LPDDR4 出貨的能力，首批將能提供以 8Gb、6Gb Die 製作的 LPDDR4 2GB、3GB 封裝顆粒，至於最高容量的 4GB 產品，則要等到 [...]
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