28nm 製程達到 1Tb 容量，RRAM 技術有所突破

透過解決現存的漏電問題與 3D 堆疊的研究，使 RRAM 技術有著新邁進。 電阻式記憶體 RRAM 是透過改變特殊半導體結構（通常是金屬電極 / 電阻層 / 金屬電極，這樣的三明治式夾層）中的電阻值，來進行 0、1 位元的儲存，是非揮發性記憶體的一種，由於操作速度快、工作電壓低，也較耐久的特性吸引不少廠商投入。一家專攻 RRAM 技術的 Crossbar 組織今年在此領域有不少好消息傳出，宣稱了能達到單一晶片就能有 1Tb，也就是 128GB 的超高容量密度。日前 Crossbar 在一場會議中似乎宣布又有重大突破，將有望加速整個 RRAM 商業應用的時程。 目前在 Crossbar 的研究中是採用了 3D 交疊式的設計（這或許也可能是它們命名為 Crossbar 的原因之一）能夠大幅提高容量密度，但這樣的設計會引發潛通道電流（Sneak path current）的問題，也就是讀取特定一個元件的狀態時，會受到鄰近元件漏電流的影響，產生潛通道電流，導致讀取上的錯誤。這現象會限制整個交疊陣列的大小，以及影響元件的功耗。 不過 Crossbar 使用了 Selector 裝置來避免這個問題，創造出 OFF 狀態的同時仍然保有足夠的餘裕來呈現資料狀態。Crossbar 表示反應的速度僅有 50ns，是相當足夠的高速。 Crossbar 似乎已經有 Selector 實做的示範晶片，但採用的是比較舊的 110nm 製程打造。不過 Crossbar 表示製程技術可以直接無痛轉移到傳統 Fab，第一款完整的產品可望用 28nm 打造，將會有 16 [...]

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