使用新製程 20nm 8Gb 製作，以企業使用為主要目標。 DDR4 記憶體開始正式進入市場，為了迎合未來高容量 DDR4 記憶體需求，Samsung 開始以 20nm 製程量產 8Gb 高容量 DRAM；同時針對企業、伺服器市場推出單支 32GB DDR4 registered 記憶體模組（RDIMM）。 除了 32GB 模組的生產計劃，由於 8Gb DRAM 提升容量密度，若搭配 3D 矽通孔（TSV）技術，未來將可以生產最高單支 128GB 的記憶體模組。 隨著 20nm 8Gb DRAM 的投產，Samsung 計畫將其他產品製程同步轉移至 20nm 進行生產，如 PC 用 4Gb DDR3 DRAM，或是低功耗 6Gb LPDDR3 記憶體，未來有 20nm 版本的計畫。
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