3D NAND 戰況白熱化，Intel 與 Micron 共同揭露自家技術預覽

2016 的 SSD 技術即將迎來重大變化。 先前 Toshiba 與 Sandisk 公開了技術合作的 48 層 BiCS 3D NAND Flash 設計，隨後另一組有著深厚合作關係的人馬 Intel 與 Micron 也透漏了自家的 3D NAND 設計的更多資料。 其實去年底 Intel 就已經粗淺的透漏了一部分的參數，包含了會具有 32 層堆疊、可提供 MLC 顆粒 256Gb（32GB）、TLC 384Gb（48GB）的容量等等，現在他們透漏了更多。 首先，新的 NAND Flash 的設計上將會具有 4 個 Plane，Plane 是整個 NAND Flash 體系中第二大的單位，僅次於 die；再下去則是我們所知道的 Block 與 Page 這些更基本的單位，設計 Plane 的用意是用來對 Block 進行劃分，相異的 Plane 是可以同時進行動作的，若少了 Plane [...]

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